300K ताप पर शुद्ध Si में इलेक्ट्रॉन और होल सांद्रता एकसमान `1.5xx10^16 "प्रति मी"^3` है। इंडियम के अपमिश्रण से होल की सान्द्रता बढ़कर `4.5xx10^22` प्रति `मी^3` हो जाती है। अपमिश्रित Si में इलेक्ट्रॉन सान्द्रता की गणना कीजिए।

Explanation

दिया है कि- `n_i=1.5xx10^16` प्रति `"मी"^3`
अपमिश्रित Si के लिए , `n_h=4.5xx10^22` प्रति `"मी"^3`
`therefore` सूत्र `n_e n_h=n_i^2` से, `n_e=n_i^2/n_h=((1.5xx10^16)^2)/(4.5xx10^22)`
`n_e=0.5xx10^10 =5.0 xx 10^9` प्रति `"मी"^3`