एक नियॉन लैप से उत्पन्न `640*2nm(1nm=10^(-9)m)` तरंगदैर्घ्य का एकवर्णी विकिरण टंगस्टन पर सीजियम सेनिर्मित प्रकाश-संबेदी पदार्थ को विकिरित करता है। निरोधी वोल्टता `0*54V` मापी जाती है। स्रोत को एक लौह स्रोत से बदल दिया जाता है। इसकी `427*2nm` वर्ण-रेखा उसी प्रकाश सेल को विकिरित करती है। नयी निरोधी वोल्टता ज्ञात कीजि।

Explanation

दिया है पहली स्थिति में
`lambda=640*nm=640*2xx10^(-9)m,`
`V_(0)=0*54V:`
`eV_(0)=hv-phi_(0)`
या `phi_(0)=hv-eV_(0)=(hc)/(lambda)-eV_(0)=(6*63xx10^(-34)xx3xx10^(8))/(640*2xx10^(-9))`
`-1*6xx10^(-19)xx0*54`
`=0*31xx10^(-17)-0*864xx10^(-19)`
`=3*1xx10^(-19)-0*864xx10^(-19)`
`=2*236xx10^(-19)J`
दूसरी स्थिति में
`lambda=427*2nm=427*2xx10^(-9)m`
`:. eV_(0)=hv-phi_(0)=(hc)/(lambda)-phi_(0)`
या `V_(0)=(hc)/(lambda e)-(phi_(0))/(e)=(6*63xx10^(-34)xx3xx10^(8))/(427*2xx10^(-9)xx1*6xx10^(-19))`
`-(2*236xx10^(-19))/(1*6xx10^(-19))`
`=0*029xx10^(2)-1*3975`
`=2*9-1*9375=1*5325`
`=1*53V`