चित्र में विघुत आपूर्ति `V_(BB)` में 0 V से 5.0 V तक परिवर्तन किया जा सकता है | Si ट्रांजिस्टर के लिए `beta_(dc)= 250` तथा `R_(B) = 100 kOmega,R_(C) = 1 KOmega` है तथा `V_("CC")= 5.0 V` है| यह मानते है की जब ट्रांजिस्टर संतृप्त अवस्था में है, तो `V(CE) = 0 V` तथा `V_(BE) = 0.8 V`, (a) यह न्यूनतम आधार धारा परिकलित कीजिए जिस पर ट्रांजिस्टर संतृप्त अवस्था में पहुँच जायेगा| (b) इस प्रकार `V_(1)` का वह मान जिसमे ट्रांजिस्टर स्विच ऑन की भाँती कार्य करेगा| (c ) `V_(1)` का वह परिसर मान कीजिए जिसका ट्रांजिस्टर स्विच ऑफ़ तथा स्विच ऑन की स्थिति में रहता है|

Explanation

दिया गया है की संतृप्प्त पर `V_(CE) = 0V, V_(BE) = 0.8 V, V_(CE) = V_(CC)//R_(C) = 5.0V//1.0k Omega`
`=(5.0 V)/(1 xx 10 Omega) = 5.0 mA`
`I_(B) = I_(C)//beta 5.0 mA//250`
`=(5.00 mA)/(250) = (5.00 xx 10^(-3)A)/(250) = (5000 xx 10^(-6))/(250) muA = 20 muA`
वह निवेश वोलटता जिस पर ट्रांजिस्टर संतृप्तता ग्रहण करता है
`V_(BE) = V_(BB) = I_(B)R_(B) + V_(BE)`
`=20muA xx 10 Omega + 0.8 V`
`=20 xx 10^(-6)A xx 100 xx 10^(3) Omega + 0.8 V`
`=2V + 0.8 V = 2.8 V`
वह निवेश वोलटता जिससे नीचे ट्रांजिस्टर आंतक स्थिति में रहता है|
`V_(B) = 0.6V, V_(m) = 2.8 V`
0.0V तथा `0.6V` के बीच ट्रांजिस्टर स्विच ऑफ़ अवस्था में रहेगा| 2.8 V तथा 5.0 V के बीच यह स्विच ऑन अवस्था में रहेगा|
यहाँ पर जब `I_(B)` का मान 0.0 mA से 20 mA के बीच परिवर्तित होता है, तो ट्रांजिस्टर सक्रिय अवस्था में होता है| इस परिसर में `I_(C) = beta I_(B)` मान्य होता है| संतृप्तता परिसर में
`I_(C) le beta I_(B)`