शुद्ध सिलिकॉन में 300 K पर एलेक्ट्रॉनों एवं होलों की सांद्रता `1.5 xx 10^(16) m^(-3)` है| इडियम में डोपिंग करने पर होल सांद्रता बढ़कर `4.5 xx 10^(22) m^(-3)` हो जाती है| डोपित सिलिकॉन में `n_(e)` की गड़ना कीजिए|

Explanation

`5 xx 10^(9) m^(-3)`