Be का IP Boron के IP से अधिक है।

Explanation

Be में s- उपकोश की भेदन क्षमता Boron के p उपकोश से अधिक होने के कारण।
नोट - Be का `I.P.C` से अधिक नहीं होगा, यह प्रभाव एक परमाणु क्रमांक के अंतर पर ही प्रभावी होता है।
अतः `S^(2)` का `I.P.s^(2)p^(1)` से अधिक है लेकिन `s^(2)` का `I.P.s^(2)p^(2)` से कम होगा।
(d) इलेक्ट्रॉनिक विन्यास ( पूर्ण अथवा अर्द्धपूर्ण कक्षक )
अर्द्धपूर्ण भरे कक्षकों `(p^(3),d^(5),f^(7))` तथा पूर्ण कक्षकों `[p^(6),d^(10)f^(14)]` अपेक्षाकृत अधिक स्थायी होते है। क्योंकि इन परिस्थितियों में आवेश का सममित वितरण होता है। इस कारण इलेक्ट्रॉन अभ्र बाहर की ओर बढ़ता है इसके परिणामस्वरूप ऊर्जा में कमी होती है और तंत्र अधिक स्थायी अवस्था में आ जाता है। अतः ऐसी अवस्था में इलेक्ट्रॉन निष्कासन के लिये अधिक ऊर्जा की आवश्यकता होती है अर्थात् आयनन विभव अपेक्षाकृत अधिक होगा।
सामान्य रूप से किसी आवर्त में बायें से दाये जाने पर I.P. का मान बढ़ता है। परन्तु अर्द्ध - पूर्ण कक्षकों के कारण VA वर्गों के तत्वों का I.P.VIA वर्ग के तत्वों की अपेक्षाकृत अधिक हो जाता है।
अतः N का `IPgt` O का I.P.
`2s^(2)2p^(3)gt2s^(2)2p^(4)`