Cu व Ni के द्वितीय आयनन एन्थैल्पी में किसका मान अधिक होगा।

Explanation

`Cu^(+)(3d^(10)4s^(0))` में पूर्ण भरा कक्षक होने के कारण Cu के द्वितीय आयनन एन्थैल्पी का मान Ni के द्वितीय आयनन एन्थैल्पी `(Ni=3d^(8)4s^(1))` से अधिक होता है।
`(e )` परिरक्षण प्रभाव
`1.` आन्तरिक कोशों में उपस्थित इलेक्ट्रॉन द्वारा डाला गया प्रतिकर्षण बल, नाभिक व संयोजकता कोश के इलेक्ट्रॉन के मध्य के आकर्षण बल को कुछ कम करता है।
`2.` इसमें संयोजकता कोश के इलेक्ट्रॉनों का नाभिकीय आकर्षण बल से परिरक्षण हो जाता है, यह परिरक्षण प्रभाव कहलाता है।
`3.` परिरक्षण प्रभाव अधिक होने पर इलेक्ट्रॉन को निकालना आसान होगा तथा आयनन विभव कम होगा।
आयनन विभव `prop` प्रभावी नाभिकीय आकर्षण बल
`prop(1)/("परिरक्षण प्रभाव")`
`4.` आन्तरिक कोशों में इलेक्ट्रॉनों की संख्या बढ़ने पर परिरक्षण प्रभाव बढ़ता है, नाभिकीय आकर्षण घटता है, आयनन एन्थैल्पी का मान घटता है।
`5.` वर्ग में ऊपर से नीचे जाने पर इलेक्ट्रॉनों की आन्तरिक कोशों की संख्या में वृद्धि होती है, और परिरक्षण प्रभाव बढ़ता है। अतः आयनन एन्थैल्पी का मान घटता है।
प्रमुख तत्वों के प्रथम आयनन एन्थैल्पी (eV)
`6.` किसी आवर्त में सामान्य तत्वों के लिए परिरक्षण प्रभाव लगभग समान रहता है क्योंकि आन्तरिक कोशों में इलेक्ट्रॉनों की संख्या समान रहती है।
`7.` आवर्त में संक्रमण तत्वों के लिए आयनन विभव में बहुत कम वृद्धि होती है। d कक्षको में इलेक्ट्रॉन्स की संख्या बढ़ते रहने के कारण परिरक्षण प्रभाव बढ़ता जाता है। इस प्रभाव के कारण, परमाणु क्रमांक में वृद्धि होने पर प्रभावी नाभिकीय आवेश के मान में बहुत कम वृद्धि होती है।, अतः आयनन विभव में भी वृद्धि बहुत कम होती है।