300K पर शुद्ध Si के एकसमान `1.5 xx 10^(6) //m^(3)` इलेक्ट्रॉन `(n_(e ))` और हॉल `(n_(h))` सांद्रण हैं। इंडियन से मादन द्वारा `n_(h)`, बढ़ कर `4.5 xx 10^(22) //m^(3)` हो जाता है। मादित सिलिकॉन में `n_(e )` निकालें।

Explanation

शुद्ध Si (नैज अर्धचालक ) में
`n_(i) = n_(e ) = n_(h)`
इंडियन (त्रिसंयोजक परमाणु ) द्वारा Si के मदन से मादित सिलिकॉन , p- प्रकार का अर्धचालक बन जाता है जिसमें
`n_(h) gt gt n_(e )`
मादित Si में `n_(h) = 4.5 xx 10^(22) //m^(3)`
यदि मादित Si में इलेक्ट्रॉन सांद्रण `n_(e )` हो, तो `n_(e ) n_(h) = n_(i)^(2)` से
`n_(e ) = ( n_(i)^(2))/( n_(h)) = ((1.5 xx 10^(16))^(2))/( 4.5 xx 10^(22))`
`= 0.5 xx 10^(10) //m^(3)`