कक्ष ताप पर सिलिकॉन क्रिस्टल के विधुत गुणों पर प्रभाव का अनुमान लगाएँ यदि हर दस लाखवें सिलिकॉन परमाणु के स्थान पर एक इंडियम परमाणु रख दिया जाए। सारणी देखें।

Explanation

सिलिकॉन परमाणुओं का सांद्रण `= 5 xx 10^(28) //m^(3)`
ग्राही परमाणुओं का सांद्रण `N_(a) = ( 5 xx 10^(28) ) ( 10^(-6)m^(3)) = 5 xx 10^(22) //m^(3)`
इस प्रकार मादित Si में होल सांद्रण
`n_(h) = N_(a) = 5 xx 10^(22) //m^(3)`
शुद्ध Si में होल सांद्रण
स्पष्टतः, `(n_(h))/( n_(i)) =( 5 xx 10^(22))/( 1.5 xx 10^(16)) = 3.33 xx 10^(6)`
क्योंकि `n_(h) gt n_(i)`,इसलिए होल सांद्रण बढ़ जाता है।
मादित Si में इलेक्ट्रॉन सांद्रण
`n_(e ) = ( n_(i)^(2))/( n_(h)) ` या `n_(e ) = ((1.5 xx 10^(16))^(2))/( 5 xx 10^(22)) = 0.45 xx 10^(10) //m^(3)`
शुद्ध Si में इलेक्ट्रॉन सांद्रण
`n_(i) = 1.5 xx 10^(16) //m^(3)`
स्पष्टतः, `(n_(i))/( n_(e )) = ( 1.5 xx 10^(16))/( 0.45 xx 10^(10)) = 3.33 xx 10^(4)`
क्योंकि `n_(e ) lt n_(i)`, इसलिए इलेक्ट्रॉन सांद्रण उतनी ही मात्र में कम हुआ है जितनी मात्रा में होल सांद्रण बढ़ा है।
फिर `sigma= [n_(e ) mu_(e ) + n_(h) mu_(h)]e`
`=[( 0.45 xx 10^(10)) ( 0.135 ) + ( 5 xx 10^(22)) ( 0.048) ]( 1.6 xx 10^(-19))`
`= ( 0.972 xx 10^(-10)+384) S//m = 384S//m`