Home
Class 12
PHYSICS
मान लें कि परिपथ [चित्र ] में सिलिकॉन डा...

मान लें कि परिपथ [चित्र ] में सिलिकॉन डायोड को अपने I-V अभिलाक्षणिक के घुटना-बिंदु (knee point ) ( 0.7 V ) से ऊपर होने के लिए 1 mA की न्यूनतम धारा की आवश्यकता है। यह भी मान लें कि डायोड के सिरों पर वोल्टता, घुटना -बिंदु से ऊपर धारा पर निर्भर नहीं।
(a) यदि `V_(B) = 5V`, तो R का अधिकतम मान क्या होना चाहिए कि वोल्टता, घुटना -बिंदु से ऊपर चाहिए ?
(b) यदि `V_(B) =5V`, तो परिपथ में 5mA की धारा स्थापित करने के लिए R का क्या मान होना चाहिए ?
( c ) जब `V_(B) = 6V` पर परिपथ में 5 m A धारा बहे, तो प्रतिरोध R और डायोड में कितनी शक्ति क्षयित होती है ?
(d ) यदि `R = 1 k Omega`, तो डायोड को घुटना -बिंदु से ऊपर रखने के लिए कितनी निम्नतम वोल्टता `V_(n)` आवश्यक है ?

लिखित उत्तर

Verified by Experts

मान लें कि प्रतिरोध R के सिरों पर विभवांतर, `V_(R )` और डायोड D के सिरों पर विभवांतर, `V_(D)` है।
स्पष्टतया, `V_(B)=V_(R) + V_(D)`
या `V_(B) = IR +V_(D)` ....(i)
(a) जब `I =1 mA = 10^(-3) A`, तो
`V_(D) = V_(k)` (घुटना -बिंदु वोल्टता) = 0.7 V
फिर क्योंकि `V_(B) = 5V`, इसलिए समीकरण (i) से
`5V = ( 10^(-3)) R + 0.7 V`
या `R = ( 5V - 0.7 V)/( 10^(-3)A) = 4.3k Omega`
( b) `l = 5mA = 5 xx 10^(-3) A`के लिए,
समीकरण (i) से `R - (V_(B) - V_(D))/(I) - (5V-0.7V)/(5 xx10^(-3)A) =0.866k Omega`
(c ) जब `V_(B) = 6 V`और `I = 5 mA = 5 xx 10^(-3) A`, तो
समीकरण (i) से `V_(R ) = V_(B) -V_(D) = 6 V - 0.7 V = 5.3 V`
प्रतिरोध में क्षायिक हुई शक्ति `= I xx V_(R ) = ( 5 xx 10^(-3) A) ( 5.3 V)`
= 26.5m W
डायोड में क्षायिक हुई शक्ति `= I xx V_(D ) = ( 5 xx 10^(-3) A)( 0.7 V)`
= 3.5 mW
(d) जब `R = 1 k Omega = 1000 Omega`, तो
`V_(B)= V_(R )+ V_(D) = IR + V_(k)`
`V_(B)` निम्नतम होगी जब I निम्नतम हो क्योंकि `V_(k)` स्थिर है। क्योंकि `V_(D) = V_(k)` पर I का निम्नतम मान 1 mA है, इसलिए
`V_(B) = ( 10^(-3)a) ( 1000 Omega ) + 0.7 V = 1.7 V`
Promotional Banner

टॉपर्स ने हल किए ये सवाल

  • इलेक्ट्रॉनिक युक्तियाँ

    GRB PUBLICATION HINDI|Exercise उच्चस्तरीय चिंतन|16 Videos
  • इलेक्ट्रॉनिक युक्तियाँ

    GRB PUBLICATION HINDI|Exercise प्रश्नोत्तर : (1 अंक )|33 Videos
  • इलेक्ट्रॉनिक युक्तियाँ

    GRB PUBLICATION HINDI|Exercise विषय -आधारित अभ्यास|31 Videos
  • गोलीय पृष्ठों और लेन्सों पर अपवर्तन

    GRB PUBLICATION HINDI|Exercise विषय-आधारित अभ्यास (प्रतिरूपी अभ्यास)|21 Videos
GRB PUBLICATION HINDI- इलेक्ट्रॉनिक युक्तियाँ -विषय -आधारित समस्याएँ- हल सहित
  1. 300K पर शुद्ध Si के एकसमान 1.5 xx 10^(6) //m^(3) इलेक्ट्रॉन (n(e )) ...

    Text Solution

    |

  2. चित्र में विधुत वाहक बल की बैटरी प्रयुक्त की जाती है। ब्लॉक की लम्बाई...

    Text Solution

    |

  3. n-प्रकार का अर्ध-चालक, जिसकी चालकता 5 Omega^(-1)cm^(-1), हो, बनाने के ...

    Text Solution

    |

  4. किसी अर्धचालक में 8 xx 10^(13) //cm^(3) का इलेक्ट्रॉन सांद्रण और 5 xx...

    Text Solution

    |

  5. कक्ष ताप पर सिलिकॉन क्रिस्टल के विधुत गुणों पर प्रभाव का अनुमान लगाएँ ...

    Text Solution

    |

  6. एक p-n संधि डायोड जब अग्रदिशिक बायसित हो, तो इसके सिरों पर 0.5V का प...

    Text Solution

    |

  7. मान लें कि परिपथ [चित्र ] में सिलिकॉन डायोड को अपने I-V अभिलाक्षणिक क...

    Text Solution

    |

  8. p-n संधि डायोड में धारा I के लिए व्यंजक है I = I(0) [exp((eV)/( k(B)...

    Text Solution

    |

  9. उभयनिष्ठ आधार परिपथ में धारा घटक alpha,0.95 है। यदि उत्सर्जक धारा 1m...

    Text Solution

    |

  10. किसी ट्रांजिस्टर की आधार धारा, 105 muA और संग्राहक धारा, 2.05 mA है। ...

    Text Solution

    |

  11. एक सिलिकॉन ट्रांजिस्टर में उत्सर्जक धारा में 7.89mA का परिवर्तन, संग्र...

    Text Solution

    |

  12. किसी ट्रांजिस्टर का निवेश प्रतिरोध 100 Omega है। आधार धारा को 10 mu ...

    Text Solution

    |

  13. चित्र में ट्रांजिस्टर, निवेश dc वोल्टता V(i) से मात्र संतृप्त हुआ है...

    Text Solution

    |

  14. चित्र में दिखाए परिपथ में beta का मान 100 है। जब I(C ) = 1.5 mA हो,...

    Text Solution

    |

  15. 2-निवेश वाले लॉजिक गेट का नाम बताएँ जिसकी सत्यमान सारणी नीचे दी गई है।...

    Text Solution

    |

  16. NOR, OR और NOT गेट से कोई उपयुक्त संयोजन प्रयुक्त करते हुए परिपथ बनाए...

    Text Solution

    |

  17. एक AND गेट के निर्गत, एक NAND गेट के दोनों निवेशों से जोड़ा जाता है। ...

    Text Solution

    |