चित्र में सिलिकॉन उभयनिष्ठ उत्सर्जक प्रवर्धक का एक सामान्य रूप दिखाया गया है। जब संग्राहक -उत्सर्जक वोल्टता `V_(CE ),+ 1 V ` और `+9V` के बीच हो, तो संग्राहक धारा, आधार धारा का लगभग 100 गुणा होती है और आधार-उत्सर्जक वोल्टता `V_(BE )` , लगभग 0.7V होती है। (a) परिपथ में आधार-उत्सर्जक धारा `I_(B )` और वोल्टता `V_(CE )`, (b) वोल्टता लब्धि यदि निवेश (आधार-उत्सर्जक ) ac प्रतिरोध 2000`Omega` हो और (c) यदि रैखिक प्रवर्धक के लिए `V_(CE ),2.2 V` , और 8.2 V के बीच परिवर्तित होती हो, तो निवेश वोल्टता ac सबसे अधिक ( सीमित ) शिखर मान निकालें।

Answer

(a) 17 `muA`, 4V; (b) 150; (c ) 20 mV

Explanation

क्योंकि `V_(BE ) = 0.7V`, इसलिए
`500 k Omega` प्रतिरोधक के सिरों पर विभवांतर ` = 9 V - 0.7 V = 8.3 V`
(a) `I_(B) = ( 8.3 V )/( 5 xx 10^(3) Omega)= 1.66 xx 10^(-5) A ~~ 17 mu A`
`I_(C ) = 100 I_(B ) = 100 ( 1.66 xx 10^(-5) ) A =1.66 xx 10^(-3) A`
` 3 k Omega ` के सिरों पर विभवांतर `= I_(C ) R `
`= ( 1.66 xx 10^(-3)) ( 3000) = 4.98 V `
इस प्रकार `V _( CE )=9V - 4.98 ~~ 4v`
(b) क्योंकि `i_(B) = ( v_(i))/( R ) = ( v_(i))/( 2000)`,इसलिए
`i_(C ) = 100i_(B ) = 100 xx ( v_(i))/( 2000) = (v_(i))/( 20)`
इस प्रकार `v_(0) = i_(C ) R_(L) = ((v_(i))/( 20)) 3000= 150 v_(i)`
या `A_(v) = ( v_(0))/( v_(0)) =150`
(c ) क्योंकि `V_(CE ) ,2.2V` और `8.2 V` के बीच परिवर्तित होती है, इसलिए वोल्टता का शिखर मान
`v_(0) = ( 1)/( 2) ( 8.2 -2.2) V = 3V`
क्योंकि `A_(v) = 150`, इसलिए `v_(i) = ( v_(0))/(A_(v)) = ( 3V)/( 150) = 20 mV`