निम्नलिखित में से कौनसी प्रक्रिया IC सरंचना निर्माण में उपस्थित नहीं होती है

Options

A. बहुलीकरण
B. विसरण
C. फोटोलिथोग्राफी
D. धात्वीकरण

Answer

A

Explanation

IC के सरंचना निर्माण में उपस्थित विभिन्न प्रक्रियाएँ (i) n या p-प्रकार परतों की एपिटेक्सियल (epitaxial) वृद्धि आवश्यकता होने पर होती है। यह सेलेन (silane) के विघटन में सम्मिलित होता है। (ii) ऑक्सीकरण द्वारा `SiO_2` की विद्युतरोधी पर्त प्राप्त होती है, जो सिलिकॉन चिप की सतहों को परस्पर पृथक करने में प्रयुक्त होती है (iii) फोटोलिथोग्राफी (Photolithography) वह प्रक्रम है, जिसमें सिलिकॉन चिप की विभिन्न सतहों को विभिन्न विद्युतीय अवयवों से सुरक्षित रखा जाता है जो विभिन्न सतहों पर निर्मित होते हैं (iv) विभिन्न युक्तियों की संरचना को विभिन्न अशुद्धियों के विसरण से प्राप्त किया जाता है (v) धात्विकरण के अन्तर्गत विद्युत परिपथ प्राप्त करने के लिए चिप पर विभिन्न अवयवों को आन्तरिक रूप से धात्विक फिल्मों के जमाव द्वारा जोड़ा जाता है
अतः IC के निर्माण में विकल्प (a) प्रयुक्त नहीं होता है।