C और Si की एक सी जालक संरचना होती है । दोनों में 4 आबंधक इलेक्ट्रॉन होते हैं। किन्तु C एक रोधी है और Si एक अर्धचालक है। क्योंकि :

Options

A. C में चार आबंधक इलेक्ट्रॉन द्वितीय कक्षा में हैं जबकि Si में वे तृतीय कक्षा में होते हैं।
B. C में आबंधक इलेक्ट्रॉन तृतीय कक्षा में होते हैं जबकि Si में वे चौथी (चतुर्थ) कक्ष में होते हैं।
C. C में, परमशून्य ताप पर संयोजकता बैंड पूरा भरा नहीं होता है।
D. C में , परमशून्य ताप भी चालन बैंड आंशिक रूप से भरा होता है।

Answer

A