रक्षण प्रभाव वास्तव में संयोजकता इलेक्ट्रॉन नाभिक के बीच उपस्थित इलेक्ट्रॉनों द्वारा उत्पन्न किया जाता हैं। इससे प्रभावी नाभिकीय आवेश कम हो जाता हैं। यदि रक्षण प्रभाव कम होता हैं। तो इलेक्ट्रॉन पर नाभिकीय आवेश भी कम होता है। संयोजकता इलेक्ट्रॉन नाभिक द्वारा आकर्षित होते हैं तथा दूसरे इलेक्ट्रॉन को प्रतिकर्षित करते हैं। किसी इलेक्ट्रॉन पर वास्तविक नाभिकीय आवेश=Z-S= नाभिकीय आवेश- रक्षण प्रभाव स्लेटर का नियम रक्षण प्रभाव के लिए निम्न होता है यदि कोई इलेक्ट्रॉन सबसे बाहरी कक्षा में उपस्थित है उसका कोई रक्षण प्रभाव उस कक्षा के लिए नहीं होगा प्रत्येक इलेक्ट्रॉन `0.35xx(n-1)` प्रभाव डालता है तथा अन्तिम पूर्व कक्षा के लिए प्रत्येक इलेक्ट्रॉन 0.85 प्रभाव डालता है तथा शेष 1 इकाई प्रभाव डालते हैं।
परमाणु आकार Ga (गैलियम) एवं Al (ऐलुमिनियम) के समान होते हैं।क्योंकि

Options

A. d-कक्षक में इलेक्ट्रॉनों के कम रक्षण प्रभाव के कारण प्रभावी नाभिकीय आवेश बढ़ जाता है।
B. d उपकक्षा में इलेक्ट्रॉन का रक्षण में प्रभाव अधिक होता है
C. Ga में f उपकक्षाओं में इलेक्ट्रॉनों को कम रक्षण प्रभाव है
D. 3s,3p, 3d इलेक्ट्रॉनों का उच्च रक्षण प्रभाव

Answer

A

Explanation

`Al_(13) = 1s^2 2s^2 2p^6 3s^2 3p^1`
`Ga_(31) = 1s^2 2s^2 2p^6 3s^2 3p^6 3d^(10) 3s^2 4p^1 `
इलेक्ट्रॉनिक विन्यास जिसमें 3d इलेक्ट्रॉन भरते हैं। अतः Ga में परिरक्षण प्रभाव कम होता है अत: `Z_("प्रभाव")` ज्यादा होगा तथा परमाणु आकार कम होगा यह लगगभग AI के बराबर होगा।