C तथा Si दोनों की जालक संरचना समान है प्रत्येक में 4 आबंधक इलेक्ट्रॉन होते हैं। परंतु C एक विसंवाहक (रोधी) तथा Si एक अर्द्धचालक है क्योंकि

Options

A. C में, परमशून्य ताप पर संयोजकता बैंड पूरा भरा नहीं होता है
B. C में, परम शून्य ताप पर भी चालक बैंड आंशिक रूप से भरा होता है।
C. C में चार बंधक इलेक्ट्रॉन द्वितीय कक्षा में है जब कि Si में तृतीय कक्षा में होते हैं
D. C में बंधक इलेक्ट्रॉन तृतीय कक्षा में होते हैं जबकि Si में चतुर्थ कक्षा में होते हैं।

Answer

C

Explanation

C में 4 बंधक इलेक्ट्रॉन‌ द्वितीय कक्षा में रहते हैं जबकि Si में तृतीय कक्षा में रहते हैं। अत3 Si में C के तुल्य कमजोर बंधक इलेक्ट्रॉन होते हैं।