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B
C
D
लिखित उत्तर
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NEET PREVIOUS YEAR-अर्द्धचालक इलेक्ट्रोनिकी पदार्थ , युक्तियाँ ,सरल परिपथ तथा संचार तंत्र -बहुविकल्पीय प्रश्न
- निम्नांकित आरेखों में, अग्र बायसित डायोड है:
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- 500K ताप पर शुद्ध सिलिकन में इलेक्ट्रॉनों की संख्या (ne) तथा होलों की ...
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- जैसा कि आरेख (चित्र) में दिखाया गया है, एक जेनर डायोड को जिसकी भंजक वो...
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- दो आदर्श डायोडों को परिपथ मे दर्शाये गये अनुसार एक बैटरी से जोड़ा गया ...
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- किसी CE ट्रॉजिस्टर प्रवर्धक में, संग्राहक प्रतिरोध 2K Omega के सिरों प...
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- C और Si की एक सी जालक संरचना होती है। दोनों में 4 आबंधक इलेक्ट्रॉन होत...
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- किसी आधार बायसित ट्रॉजिस्टर के लिये CE विन्यास में अन्तरण अभिलक्षण [ न...
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- आरेख में एक तर्क परिपथ दर्शाया गया है जिसमें दो निवेश A तथा B और एक नि...
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- किसी सिलिकन ट्रांजिस्टर का निवेश प्रतिरोध 1000 है। आधार धारा में 40 mu...
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- दिए गए परिपथ में निर्गतमान y=1 प्राप्त करने के लिए निम्नलिखित में कौन ...
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- n-प्रकार के अर्धचालक के लिए कौन-सा कथन सत्य हैं
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- किसी उभयनिष्ठ उत्सर्जक (CE) प्रवर्धक की वोल्टता लब्धि 'G' है। प्रयुक्त...
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- आरेख में दर्शाये गये तर्क गेट (द्वार) का निर्गत (X) होगाः
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- यहां ग्राफ (आलेख) में एक अर्द्ध-चालक युक्ति का V-I अभिलक्षण दर्शाया गय...
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- किसी p-n सन्धि का रोधक विभव निर्भर करता है (A) अर्द्ध-चालक के पदार्...
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- यहाँ परिपथ में एक डायोड D को एक बाहय प्रतिरोध R = 100 Omega तथा 3.5V.ई...
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- किसीCE (उभयनिष्ठ उत्सर्जक) प्रवर्धक की वोल्टता लब्धि 150 है। इसका निवे...
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- संधि डायोड को आदर्श मानकर विचार कीजिए| AB से प्रवाहित धारा का मान है:
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- किसी दिए गए प्रवर्धक में कोई npn ट्रांजिस्टर उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास...
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- नीचे दिए गए परिपथ में, निर्गत 1 प्राप्त करने के लिए निवेश का सही चयन ह...
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