ઓરડાના તાપમાને આંતરિક અર્ધવાહક (શુદ્ધ અર્ધવાહક) `Si` માં પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા `5 xx 10^28 પરમાણુ/m^3` જેટલી છે. તેના આશરે `10^6` પરમાણુઓ દીઠ આર્સેનિક (As) ના 1 પરમાણુને અશુદ્ધિ તરીકે `Si` માં ઉમેરવામાં આવે છે (એટલે કે As નું `1 ppm (1 part per million)` સાંદ્રતા સાથે `Si` ના સ્ફટિકમાં doping કરવામાં આવે છે.) તો હવે તૈયાર થતા બાહ્ય અર્ધવાહક (અશુદ્ધ અર્ધવાહક) માં ઈલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા ઘનતા શોધો. અશુદ્ધિ ઉમેર્યા પહેલાં, ઉષ્મીય દોલનોને કારણે મુક્ત થયેલા ઇલેક્ટ્રોન્સની સંખ્યા ઘનતા આશરે `1.5 xx10^16 / m^3` એટલે કે `n_i = 1.5 xx 10^16/ m^3`.