उभयनिष्ठ उत्सर्जक प्रवर्धक के परिपथ में, एक सिलिकॉन ट्रांजिस्टर का प्रयोग किया जाता है।
`V_("CC") = + 20 V, R_L = 3 kOmega` , संग्राहक वोल्टता
`= 5 V, beta = 100` है। तब आधार प्रतिरोध `R_B ........ xx 10^(5) Omega` होना चाहिए :
( सिलिकॉन ट्रांजिस्टर के सिरों पर निवेश वोल्टता पतन = 0.7 V लीजिए)

Answer

3.86

Explanation

`V_("CC")=V_C+I_CR_L`
`:. 20=5+3xx10^3I_C`
`:. I_C=15/(3xx10^3)`
`= 5xx10^(-3)A = 5 mA` ,
`beta = I_C/I_B`
`:. I_B = I_C/beta=(5xx10^(-3))/100`
`= 5 xx10^(-5)A`
`V_("CC") = I_B R_B+P.D.` निवेश संधि के सिरों पर सिलिकॉन ट्रांजिस्टर अग्र बायसित है, निवेश संधि के सिरों पर वोल्टता पतन 0.7 वोल्ट है।
`:.20 =5xx10^(-5)R_B+ 0.7`
`:. R_B = (19.3)/(5xx10^(-5))`
`:. R_B = 3.86 xx10^5 Omega`