C और Si की एक सी जालक संचरना होती है। दोनों में 4 आबंधक इलेक्ट्रॉन होते है। किन्तु, C एक अवरोधी है और Si एक नैज अर्द्धचालक है। क्योंकि

Options

A. C में चार आबंधक इलेक्ट्रॉन द्वितीय कक्षा में हैं जबकि Si में तृतीय कक्षा में होते है
B. C में आबंधक इलेक्ट्रॉन तृतीय कक्षा में होते हैं जबकि में वे चौथी (चतुर्थ) कक्षा में होते है
C. C में, परमशून्य ताप पर संयोजकता बैंड पूरा भरा नहीं होता है
D. C में, परमशून्य ताप भी चालन बैंड आंशिक रूप से भरा होता है

Answer

A

Explanation

C में चार आबंधक इलेक्ट्रॉन द्वितीय कक्षा में हैं जबकि Si में तृतीय कक्षा में होते है