किसी जंक्शन p-n डायोड में अवक्षय परत ( depletion layer )की मोटाई 400 nm है तथा इसमें विद्युत - क्षेत्र की तीव्रता ` 8 xx 10^(3) "V "cm^(-1) ` है । निम्नांकित का मान ज्ञात करे -
( i) विभव प्राचीर की ऊंचाई (height of the potential barrier ) तथा
(ii) n - भाग से p- भाग में विसरण ( diffusion ) के लिए इलेक्ट्रॉन की न्यूनतम गतिज ऊर्जा ।

Answer

(i) 0.32 V (ii) 0.32 eV

Explanation

[ (i) `E - (Delta V)/(Deltar) , " अतः " Delta V = E . Delta r = (8 xx 10^(3) " V " cm^(-1)) (400 nm).`
(ii) न्यूनतम गतिज ऊर्जा = आवेश `xx` विभव प्राचीर = (1 e) (0.32 V).]