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Class 11
PHYSICS
सिलिकॉन के लिए प्राचीर विभव का मान लगभग ...

  सिलिकॉन के लिए प्राचीर विभव का मान लगभग .......... होता है। 

लिखित उत्तर

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NAVBODH-अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी-पदार्थ , युक्तियाँ तथा सरल परिपथ -रिक्त स्थानों की पूर्ति कीजिए
  1. NOT गेट को .............. भी कहते हैं।

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  2. . निर्गत वोल्टेज में परिवर्तन और निवेशी वोल्टेज में परिवर्तन के अनुपात...

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  3. आंतर अर्द्धचालक में वर्जित ऊर्जा अंतराल की कोटि ...............होती है...

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  4. NAND गेट में AND गेट के साथ ................. गेट होता है।

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  5. जेनर डायोड का उपयोग ....... होता है।

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  6. अशुद्धियों रहित चालक को .......... अर्द्धचालक कहा जाता है।

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  7. शुद्ध अर्द्धचालक में .......... परमाणु की अशद्धि मिलाने पर P-प्रकार का...

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  8. अग्र-अभिनति अवस्था में प्रयुक्त करने पर .......... संधि स्थल से प्रकाश...

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  9. गैलियम आर्सेनाइड डायोड का उपयोग .......... के उत्पादन के लिए किया जाता...

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  10. ट्रांजिस्टर के उत्सर्जन में डोपिंग स्तर संग्राहक डोपिंग स्तर से..........

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  11. संधि ट्रांजिस्टर में .......... सबसे पतला रखा जाता है।

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  12. किसी अर्द्धचालक को गर्म करने पर उसका प्रतिरोध प्रारंभिक रूप से ..........

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  13. सिलिकॉन के लिए प्राचीर विभव का मान लगभग .......... होता है।

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  14. ट्रांजिस्टर .......... से बनाया जाता है।

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  15. ताप बढ़ाने पर अर्द्धचालकों का प्रतिरोध .......... जाता है।

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  16. P-N संधि डायोड अग्र अभिनति में हो तो .......... घटता है।

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  17. उभयनिष्ठ उत्सर्जक प्रवर्धक में निवेशी सिगनल और निर्गत सिगनल में .........

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  18. . शुद्ध अर्द्धचालक में .......... परमाणु की अशुद्धि मिलाने पर N-प्रकार...

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  19. . .............. गेट के पुनरावृत्त उपयोग से डिजिटल परिपथ बनाये जाते है...

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  20. NOR गेट .................. एवं OR गेट का संयोजन है।

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