चित्र 4.2. में दर्शाए गए गैल्वेनोमीटर परिपथ का उपयोग करके बहुपरिसरीय वोल्टमीटर की रचना की जा सकती है। हम एक ऐसे वोल्टमीटर की रचना करना चाहते हैं, जो 2V, 20V तथा 200V माप सके तथा `10Omega` प्रतिरोध के ऐसे गैल्वेनोमीटर से बना हो जिसमें 1mA धारा से अधिकतम विक्षेप उत्पन्न होता है। इसके लिए उपयोग किए जाने वाले `R_(1) R_(2)` तथा `R_(3)` के मान ज्ञात कीजिए।

Explanation

`i_(G)(G+R_(1))=2(0-2V)` परिसर के लिए
`i_(G)(G+R_(1)+R_(2))=20,(0-2V)` परिसर के लिए तथा `i_(G)(G+R_(1)+R_(2)+R_(3))=200,200V` परिसर के लिए प्राप्त होता है
`R_(1)=1990Omega`
`R_(2)=18kOmega`
तथा `R_(3)=180kOmega`