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अर्द्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी ; पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ
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NEET PREVIOUS YEAR-अर्द्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी ; पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ -Special Format वाले Objective प्रश्न (टॉपिक 2- नैज और बाह्य अर्द्धचालक )
- Si और Cu को 300 K ताप पर, ठण्डा करने में इसकी प्रतिरोधकता होगी
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- Si का ऊर्जा अन्तराल 1.14eV एवं जिंक सल्फाइड (ZnS) का ऊर्जा अन्तराल 3.6...
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- अपमिश्रण (मादन) होता है
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- नैज अर्द्धचालकों में मादन निम्न कारण से होती है
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- एक n-प्रकार एवं p-प्रकार के Si की प्राप्ति के लिए शुद्ध Si की क्रमशः न...
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- n-प्रकार के अर्द्धचालकों के सन्दर्भ में कौन-सा कथन सही है? 1) दाता ऊर्...
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- किसी मादन के कारण चालन बैण्ड में उपस्थित इलेक्ट्रॉनों की संख्या में अप...
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- p-प्रकार का अर्द्धचालक बनाने के लिए जर्मेनियम में निम्न मादन का उपयोग ...
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- p-प्रकार के अर्द्धचालक में बहुसंख्यक आवेश वाहक एवं अल्पांश आवेश वाहक क...
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- निम्न में से सही कथन को चुनिए।
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- यदि चालन बैण्ड में इलेक्ट्रॉनों का संख्या घनत्व n(e) तथा संयोजी बैण्ड ...
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- कार्बन की प्रतिरोधकता जर्मेनियम (Ge) एवं सिलिकॉन (Si) से अधिक होती है।...
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- मान लीजिए किसी शुद्ध Si क्रिस्टल में 5 xx10^(28) परमाणु "मी"^(-3) है। ...
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- किसी नैज अर्द्धचालक को फॉस्फोरस से मादित करने पर उसके आवेश वाहकों की स...
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- किसी नैज अर्द्धचालक में v(d) इलेक्ट्रॉन का अनुगमन वेग एवं n(e) इलेक्टॉ...
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- किसी अपद्रव्यी अर्द्धचालक के लिए सत्य कथन है
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- ऊर्जा अन्तराल के बढ़ते क्रम में तीन नैज अर्द्धचालकों को रखा गया है। सह...
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- जब किसी अर्द्धचालक की चालकता केवल सहसंयोजक बन्धों के टूटने के कारण होत...
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- Ge का कमरे के ताप पर वर्जित ऊर्जा अन्तराल होगा
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- एक (Ge) जर्मेनियम क्रिस्टल नमूने में AI अशुद्धी के रूप में मिलाया गया...
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