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अर्द्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी ; पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ
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NEET PREVIOUS YEAR-अर्द्धचालक इलेक्ट्रॉनिकी ; पदार्थ युक्तियाँ तथा सरल परिपथ -Special Format वाले Objective प्रश्न (टॉपिक 3-संधि और अर्द्धचालक डायोड )
- p एवं n-क्षेत्रों का विभवान्तर, जोकि इलेक्ट्रॉन विसरण को रोकता है, कहल...
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- क्या p-n संधि बनाने के लिए हम p प्रकार के अर्धचालक की एक पट्टी को n प्...
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- p-n सन्धि क्षेत्र में अवक्षय परत बनती है
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- P-N सन्धि का रोधिका विभव निर्भर करता है : (i) अर्द्धचालक की प्रकृति पर...
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- अवक्षेप क्षेत्र का प्रतिरोध अधिक होता है, क्योंकि इसमें होता है
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- बिना बायस p-n सन्धि से , होल p- क्षेत्र में n- क्षेत्र की ओर विसरित ह...
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- एक Si आधारीय p-n सन्धि में अवक्षेप क्षेत्र की मोटाई 1 माइक्रो मी एवं न...
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- एक डायोड है
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- एक p-n सन्धि का प्रतीक चिन्ह एक तीर होता है। तीर की दिशा निरूपित ...
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- p-n सन्धि के अग्रदिशिक बायसित होने पर आवेश वाहकों की सही गमन दिशा निम्...
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- एक p-n सन्धि के अग्रदिशिक बायस में अनुप्रयुक्त वोल्टता V है। एवं निरोध...
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- अग्रदिशिक बायस में, p-n सन्धि डायोड से अग्र धारा बहती है, क्योंकि
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- p-n सन्धि डायोड में,
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- किसी पश्चदिशिक बायसित p-n सन्धि डायोड में,
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- यदि डायोड के पश्चदिशिक बायस वोल्टता को भंजन से अधिक कर दें, तब
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- p-n सन्धि के लिए V-I अभिलाक्षणिक ग्राफ है
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- Si एवं Ge डायोड के अग्रदिशिक बायस होने पर देहली या नी-वोल्टता का मान क...
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- डायोड द्वारा प्राथमिक रूप से धारा का प्रवाह एक दिशा में होता है। अग्रद...
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- डायोड का गतिक प्रतिरोध परिभाषित है
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- सिलिकॉन डायोड का V-I अभिलाक्षणिक दिया गया है। I(D) = 15 मिली ऐम्पियर ए...
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