C, Si तथा Ge की जालक (Lattice) संरचना समान होती है| फिर भी क्यों स विघुतरोधी है जबकि Si व Ge नैज अर्धचालक (intrinsic semiconductor) है?

Explanation

C, Si तथा Ge के परमाणुओं के चार बंधित एलेक्ट्रॉनों क्रमश: द्वितीय, तृतीय तथा चतुर्थ कक्षा में होते है| अतः इन परमनुऒं से एक इलेक्ट्रान को बाहर निकालने के लिए आवश्यक ऊर्जा (आयनिक ऊर्जा `E_(g)`) सबसे कम Ge के लिए, इससे अधिक Si के लिए और सबसे अधिक C के लिए होगी| इस प्रकार Ge व Si में विघुत चालन के लिए स्वतंत्र एलेक्ट्रॉनों की संख्या सार्थक होती है जबकि C में यह नगण्य होती है|