एक Si और एक Ge डायोड की भौतिक विमायें समान हैं। Si में बैंड का रिक्त भाग Ge की तुलना में अधिक होता है। दोनों डायोड पर समान उत्क्रम अभिनति आरोपित की जाती है, तब

Options

A. Ge में उत्क्रमित धारा Si में उत्क्रमित धारा से अधिक होती है
B. Si में उत्क्रमित धारा Ge में उत्क्रमित धारा से अधिक होती है
C. उत्क्रमित थारा दोनों डायोड़ों में एकसमान रहती है
D. उत्क्रमित धारा का सापेक्ष परिमाण दिए गए आँकड़ों (डाटा) से ज्ञात नहीं किया जा सकता है

Answer

C

Explanation

जब डायोड उत्क्रम अभिनत है तब उस पर लगाया गया विभव, विभव प्राचीर का समर्थन (supports) करता है। इसके कारण उत्क्रम धारा कमजोर हो जाती है। यह दोनों डायोडों में एकसमान होगा।